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內置MOS管TP8350、TP8356升壓芯片驅動大電流方案

典型應用電路:

輸入電源為鋰電池(3.2vVin4.2v

1.驅動負載150mAIo500mA

1TP8350典型應用電路

   

鋰電池輸入條件下TP8350驅動大負載電路

 

建議各器件參數L=47uH(內阻<0.1ohm),Cin=47uF(實際應用中可不接該電容),

Diode=1N58171N58181N5819

Cout20uF電解電容(或20uF膽電容串聯0.5歐姆電阻)和0.1uF陶瓷電容并聯。

驅動400mA負載下,效率高于80%

2TP8356典型應用電路

鋰電池輸入條件下TP8350驅動大負載電路

建議各器件參數L=100uH(內阻<0.1ohm),Cin=47uF(實際應用中可不接該電容),

Diode=1N58171N58181N5819

Cout20uF電容(不分電解電容、膽電容)串聯0.5歐姆電阻和0.1uF陶瓷電容并聯。

驅動400mA負載下,效率高于80%

 

2  驅動負載Io<150mA

       TP8350TP8356外圍器件參數參照TP83規格書中典型應用電路的參數。

 

注意:TP8350TP8356應用中陶瓷電容0.1uF~1uF必須接上,并且靠近芯片輸出端。

  

文章來源:http://www.q8hz.com/te_news_industry/2009-09-08/65.chtml
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